|
改進的晶閘管高di/dt性能隨著晶閘管在各類大功率感應加熱電源、變頻器、交流開關、電機控制、脈沖功率等領域的應用逐步擴大，越來越多的用戶對晶閘管器件提出了較高的電流上升率要求。襄樊臺基半導體有限公司(原襄樊儀表元件廠)在原產品的基礎上，通過優(yōu)化設計和嚴格的工藝控制，大大提升了器件的開通臨界電流上升率di/dt。經測試，所生產的高頻、快速、普通系列晶閘管di/dt性能已達到國外同類產品水平。 一、晶閘管高di/dt性能晶閘管的開通臨界電流上升率，反映了器件的大電流迅速開通能力。它與器件的開通速度、開通損耗、芯片局部熱分布參數、熱容量、熱極限承受能力等因素均有關系。襄樊臺基公司通過改善器件的分布式擴展門極結構、增強器件局部瞬時浪涌溫度承受能力，大大提升了器件的di/dt能力。目前主要產品的di/dt指標如下： 普通晶閘管系列 (A/μs)
高頻、快速晶閘管系列 (A/μs)
圖一為Y70KKG晶閘管di/dt=1500A/μs測試時的電壓和電流波形。 測試條件：
二、晶閘管高di/dt應用提高晶閘管的臨界電流上升率，對于用戶使用有明顯的意義：
三、晶閘管工作于高di/dt時需注意事項1. 結溫控制晶閘管的di/dt承受能力與其芯片結溫有直接關系，di/dt承受能力隨著溫度的上升會有明顯的下降。因此用戶在使用時必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中，普通晶閘管：Tj≤125°C，高頻、快速晶閘管：Tj≤115°C。 2. 觸發(fā)脈沖要求晶閘管的di/dt承受能力實際反映了器件的電流快速開通能力，它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強觸發(fā)脈沖，可以明顯減小器件開通時間和開通損耗，增強器件di/dt承受能力。我們建議的觸發(fā)脈沖要求為：
3. 使用限制晶閘管在承受過高的di/dt時，會在其芯片產生局部瞬時高溫，這種局部瞬時高溫在長期工作中會影響器件的工作壽命。因此，使用者在任何時候，都應保證di/dt不應超過器件生產廠家給出的規(guī)定值，并且留有一定裕量。 晶閘管的di/dt與其開通損耗關系極大，晶閘管高di/dt應用于高頻率場合時，需考慮開通損耗上升引起的結溫上升，用戶應考慮降低器件通過的通態(tài)電流或增強器件散熱能力。 |
